GaN / LDMOS 功率放大 · 峰值 50 W

高功率 PA 采用 GaN-on-SiC / LDMOS 工艺，峰值输出功率达 50 W (47–50 dBm)，

具备高 PAE 效率、宽带匹配与集成输出耦合器，配合稳健热设计，满足雷达/EW、测试测量及通信/SDR 应用场景。